分析壓力傳感器產(chǎn)生噪音的原因
壓力傳感器不管我們在日常使用中如何細心的保養(yǎng)但是在使用中可能還會碰到一個問題那就是噪音問題。對于壓力傳感器低頻噪聲主要是由于內部的導電微粒出現(xiàn)不連續(xù)而導致的。特別是對于碳膜電阻,它的碳質材料內部往往會存在很多微小顆粒,顆粒之間是不連續(xù)的,在電流流過期,會使電阻的導電率發(fā)生變化引起電流的變化,產(chǎn)生類似接觸不良的閃爆電弧。
對于半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲,主要是由于半導體PN結兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)目改變,從而顯現(xiàn)出電容效應。當正向電壓減小時,它又使電子和空穴闊別耗盡區(qū),相稱于電容放電。當外加反向電壓時,耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時,這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動,從而產(chǎn)生電流噪聲。一般在壓力傳感器電路板上的電磁元件,如果產(chǎn)生干擾很多電路板上都有繼電器、線圈等電磁元件,在電暢通流暢過期其線圈的電感和外殼的分布電容向附近輻射能量,其能量會對附近的電路產(chǎn)生干擾。像繼電器等元件其反復工作,通斷電時會產(chǎn)生瞬間的反向高壓,形成瞬時浪涌電流,這種瞬間的高壓對電路將產(chǎn)生極大的沖擊,從而嚴峻干擾電路的正常工作。
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對于半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲,主要是由于半導體PN結兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)目改變,從而顯現(xiàn)出電容效應。當正向電壓減小時,它又使電子和空穴闊別耗盡區(qū),相稱于電容放電。當外加反向電壓時,耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時,這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動,從而產(chǎn)生電流噪聲。一般在壓力傳感器電路板上的電磁元件,如果產(chǎn)生干擾很多電路板上都有繼電器、線圈等電磁元件,在電暢通流暢過期其線圈的電感和外殼的分布電容向附近輻射能量,其能量會對附近的電路產(chǎn)生干擾。像繼電器等元件其反復工作,通斷電時會產(chǎn)生瞬間的反向高壓,形成瞬時浪涌電流,這種瞬間的高壓對電路將產(chǎn)生極大的沖擊,從而嚴峻干擾電路的正常工作。
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